SISS65DN-T1-GE3 - 30V 94A 3.2W Rds=0.0046Ohm SMD PowerPAD 1212-8S P-MOSFET - VISHAY
A feltüntetett kép csak illusztráció. Kérjük tekintse meg a termékleírást!
Nincs raktáron
MOSFET, 30V 94A 3.2W Rds=0.0046Ohm SMD PowerPAD 1212-8S
MPN:
SISS65DN-T1-GE3
Termék gyártója:
Adatlap:
Cikkcsoport:
MOSFET
Alkatrész család:
Tokozás típus:
NYÁK-ra ültethető (SMD)
Tokozás:
Kivitel:
Felületszerelt (SMD)
Kivezetések száma:
8
Maximális disszipáció Ptot [W]:
3.2 W
Drain áram Id [A] @ 25°C:
-94 A
Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :
0.0046 Ohm @ -94 A
Gate törésponti feszültség Ugs [V]:
-2.3 V
Bekapcsolási idő ton [nsec.]:
40 ns
Kikapcsolási idő toff [nsec.]:
70 ns
Gate kapacitás Ciss [pF]:
4930 pF
Drain-Source feszültség Uds [V]:
-30 V
Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:
-55 °C
Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Igen
Központi raktár
0 db
Azonnal szállítható
Szegedi üzlet
0 db
A helyszínen azonnal átvehető, csomagban 1-2 nap a szállítási határidő
Csomagajánlatok
Adatok
Tömeg:
0,11 g/db
