SI2319CDS-T1-GE3 - 40V 3.1A 0.8W Rds=0.077Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY

124,73 Ft+ÁFA
158,41 Ft ÁFA-val

SI2319CDS-T1-GE3 - 40V 3.1A 0.8W Rds=0.077Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY

Name: SI2319CDS-T1-GE3 - 40V 3.1A 0.8W Rds=0.077Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY
Brand: VISHAY
SKU: 63-01-52
Price: 158.41 HUF
Availability: InStock

A feltüntetett kép csak illusztráció. Kérjük tekintse meg a termékleírást!

Raktáron 2000 db

124,73 Ft+ÁFA
158,41 Ft ÁFA-val

MOSFET, 40 V 3.1 A 0.8 W Rds=0.077Ohm SMD SOT-23

MPN:

SI2319CDS-T1-GE3

Termék gyártója:

VISHAY

Adatlap:

si2319cd.pdf

Cikkcsoport:

MOSFET

Alkatrész család:

MOSFET, P-MOS

Tokozás típus:

NYÁK-ra ültethető (SMD)

Tokozás:

SOT-23

Kivitel:

Felületszerelt (SMD)

Kivezetések száma:

Maximális disszipáció Ptot [W]:

0.8 W

Gyártói jelölés:

Drain áram Id [A] @ 25°C:

-3.1 A

Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :

0.077 Ohm @ -4.4 A

Gate törésponti feszültség Ugs [V]:

-2.5 V

Bekapcsolási idő ton [nsec.]:

60 ns

Kikapcsolási idő toff [nsec.]:

27 ns

Gate kapacitás Ciss [pF]:

595 pF

Drain-Source feszültség Uds [V]:

-40 V

Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:

-55 °C

Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

Igen

Mennyiségi kedvezmény:

Mennyiség [db]

Nettó [HUF]

Bruttó [HUF]

100

100,00 Ft

127,00 Ft

Központi raktár

2000 db

Azonnal szállítható

Adatok

Tömeg:

0,008 g/db