SI4532CDY-T1-GE3 - 30V 5.2/3.4A 2.7W Rds=65/140mOhm SMD SO8 dupla N-MOSFET/P-MOSFET - VISHAY

207,87 Ft+ÁFA
263,99 Ft ÁFA-val

SI4532CDY-T1-GE3 - 30V 5.2/3.4A 2.7W Rds=65/140mOhm SMD SO8 dupla N-MOSFET/P-MOSFET - VISHAY

Name: SI4532CDY-T1-GE3 - 30V 5.2/3.4A 2.7W Rds=65/140mOhm SMD SO8 dupla N-MOSFET/P-MOSFET - VISHAY
Brand: VISHAY
SKU: 63-01-25
Price: 263.99 HUF
Availability: InStock

A feltüntetett kép csak illusztráció. Kérjük tekintse meg a termékleírást!

Raktáron 1338 db

207,87 Ft+ÁFA
263,99 Ft ÁFA-val

MOSFET, 30 V Dual 5.2/3.4 A 2.7W Rds=65/140mOhm SMD SO8

MPN:

SI4532CDY-T1-GE3

Termék gyártója:

VISHAY

Adatlap:

si4532cd.pdf

Cikkcsoport:

MOSFET

Alkatrész család:

MOSFET, N-MOS, P-MOS

Tokozás típus:

NYÁK-ra ültethető (SMD)

Tokozás:

SO8

Kivitel:

Felületszerelt (SMD)

Kivezetések száma:

Maximális disszipáció Ptot [W]:

1.14 W

Gyártói jelölés:

SI4532CDY-T1-E3

Drain áram Id [A] @ 25°C:

5.2 A/-3.4 A

Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :

0.065 Ohm/0.14 Ohm @ 5.2/-3.4 A

Gate törésponti feszültség Ugs [V]:

4.5 V/-4.5 V

Bekapcsolási idő ton [nsec.]:

11 ns/10 ns

Kikapcsolási idő toff [nsec.]:

25/30 ns

Gate kapacitás Ciss [pF]:

305/340 pF

Drain-Source feszültség Uds [V]:

30 V/-30 V

Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:

-55 °C

Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

Igen

Mennyiségi kedvezmény:

Mennyiség [db]

Nettó [HUF]

Bruttó [HUF]

100

137,80 Ft

175,01 Ft

Központi raktár

1338 db

Azonnal szállítható

Adatok

Tömeg:

0,187 g/db