SI4532CDY-T1-GE3 - 30V 5.2/3.4A 2.7W Rds=65/140mOhm SMD SO8 dupla N-MOSFET/P-MOSFET - VISHAY
207,87 Ft+ÁFA
263,99 Ft ÁFA-val
263,99 Ft ÁFA-val
SI4532CDY-T1-GE3 - 30V 5.2/3.4A 2.7W Rds=65/140mOhm SMD SO8 dupla N-MOSFET/P-MOSFET - VISHAY
A feltüntetett kép csak illusztráció. Kérjük tekintse meg a termékleírást!
Raktáron 1338 db
207,87 Ft+ÁFA
263,99 Ft ÁFA-val
263,99 Ft ÁFA-val
MOSFET, 30V Dual 5.2/3.4A 2.7W Rds=65/140mOhm SMD SO8
MPN:
SI4532CDY-T1-GE3
Termék gyártója:
Adatlap:
Cikkcsoport:
MOSFET
Alkatrész család:
Tokozás típus:
NYÁK-ra ültethető (SMD)
Tokozás:
Kivitel:
Felületszerelt (SMD)
Kivezetések száma:
8
Maximális disszipáció Ptot [W]:
1.14 W
Gyártói jelölés:
SI4532CDY-T1-E3
Drain áram Id [A] @ 25°C:
5.2 A/-3.4 A
Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :
0.065 Ohm/0.14 Ohm @ 5.2/-3.4 A
Gate törésponti feszültség Ugs [V]:
4.5 V/-4.5 V
Bekapcsolási idő ton [nsec.]:
11 ns/10 ns
Kikapcsolási idő toff [nsec.]:
25/30 ns
Gate kapacitás Ciss [pF]:
305/340 pF
Drain-Source feszültség Uds [V]:
30 V/-30 V
Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:
-55 °C
Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Igen
db
Mennyiségi kedvezmény:
Mennyiség [db]
Nettó [HUF]
Bruttó [HUF]
100
137,80 Ft
175,01 Ft
Központi raktár
1338 db
Azonnal szállítható
Szegedi üzlet
0 db
A helyszínen azonnal átvehető, csomagban 1-2 nap a szállítási határidő
Csomagajánlatok
Adatok
Tömeg:
0,187 g/db
Hasonló termékek
