SI2308BDS-T1-GE3 - 60V 2.3A 1.66W Rds=0.16Ohm SMD SOT-23 N-MOSFET - VISHAY

282,52 Ft+ÁFA
358,8 Ft ÁFA-val

SI2308BDS-T1-GE3 - 60V 2.3A 1.66W Rds=0.16Ohm SMD SOT-23 N-MOSFET - VISHAY

Name: SI2308BDS-T1-GE3 - 60V 2.3A 1.66W Rds=0.16Ohm SMD SOT-23 N-MOSFET - VISHAY
Brand: VISHAY (SILICONIX)
SKU: 63-01-08
Price: 358.8 HUF
Availability: InStock

A feltüntetett kép csak illusztráció. Kérjük tekintse meg a termékleírást!

Raktáron 7596 db

282,52 Ft+ÁFA
358,8 Ft ÁFA-val

MOSFET, 60V 2.3A 1.66W Rds=0.16Ohm SMD SOT-23

MPN:

SI2308BDS-T1-GE3

Termék gyártója:

VISHAY (SILICONIX)

Adatlap:

si2308bd.pdf

Cikkcsoport:

MOSFET

Alkatrész család:

MOSFET, N-MOS

Tokozás típus:

NYÁK-ra ültethető (SMD)

Tokozás:

SOT-23

Kivitel:

Felületszerelt (SMD)

Kivezetések száma:

Tokozás (JEDEC):

MS-012

Maximális disszipáció Ptot [W]:

1.66 W

Gyártói jelölés:

Drain áram Id [A] @ 25°C:

2.3 A

Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :

0.192 Ohm @ 1.7 A

Gate törésponti feszültség Ugs [V]:

3 V

Bekapcsolási idő ton [nsec.]:

6 ns

Kikapcsolási idő toff [nsec.]:

15 ns

Gate kapacitás Ciss [pF]:

190 pF

Drain-Source feszültség Uds [V]:

60 V

Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:

-55 °C

Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

Igen

Központi raktár

7596 db

Azonnal szállítható

Szegedi üzlet

0 db

A helyszínen azonnal átvehető, csomagban 1-2 nap a szállítási határidő

Adatok

További adatlap:

Siliconix_ROHS_marking.pdf

Tömeg:

0,008 g/db