SI4431CDY-T1-GE3 - 30V 5.6A 1.6W Rdson=0.032Ohm SMD SO8 P-MOSFET - VISHAY

164,41 Ft+ÁFA
208,8 Ft ÁFA-val

SI4431CDY-T1-GE3 - 30V 5.6A 1.6W Rdson=0.032Ohm SMD SO8 P-MOSFET - VISHAY

Name: SI4431CDY-T1-GE3 - 30V 5.6A 1.6W Rdson=0.032Ohm SMD SO8 P-MOSFET - VISHAY
Brand: VISHAY (SILICONIX)
SKU: 63-01-03
Price: 208.8 HUF
Availability: InStock

A feltüntetett kép csak illusztráció. Kérjük tekintse meg a termékleírást!

Raktáron 2286 db

164,41 Ft+ÁFA
208,8 Ft ÁFA-val

MOSFET, 30 V 5.6 A 1.6 W Rdson=0.032Ohm SMD SO8

MPN:

SI4431CDY-T1-GE3

Termék gyártója:

VISHAY (SILICONIX)

Adatlap:

si4431cd.pdf

Cikkcsoport:

MOSFET

Alkatrész család:

MOSFET, P-MOS

Tokozás típus:

NYÁK-ra ültethető (SMD)

Tokozás:

SO8

Kivitel:

Felületszerelt (SMD)

Kivezetések száma:

Tokozás (JEDEC):

MS-012

Maximális disszipáció Ptot [W]:

1.6 W

Gyártói jelölés:

SI4431CDY-T1-GE3

Drain áram Id [A] @ 25°C:

-5.6 A

Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :

0.032 Ohm @ -7 A

Gate törésponti feszültség Ugs [V]:

-2.5 V

Bekapcsolási idő ton [nsec.]:

10 ns

Kikapcsolási idő toff [nsec.]:

23 ns

Gate kapacitás Ciss [pF]:

1006 pF

Drain-Source feszültség Uds [V]:

-30 V

Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:

-55 °C

Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

Igen

Mennyiségi kedvezmény:

Mennyiség [db]

Nettó [HUF]

Bruttó [HUF]

100

136,23 Ft

173,01 Ft

Központi raktár

2286 db

Azonnal szállítható

Adatok

További adatlap:

RETKAT2012_F_014.pdf Siliconix_ROHS_marking.pdf

Tömeg:

0,187 g/db