SI4431CDY-T1-GE3 - 30V 5.6A 1.6W Rdson=0.032Ohm SMD SO8 P-MOSFET - VISHAY
399 Ft+ÁFA
506,73 Ft ÁFA-val
506,73 Ft ÁFA-val
SI4431CDY-T1-GE3 - 30V 5.6A 1.6W Rdson=0.032Ohm SMD SO8 P-MOSFET - VISHAY
A feltüntetett kép csak illusztráció. Kérjük tekintse meg a termékleírást!
Raktáron 2171 db
399 Ft+ÁFA
506,73 Ft ÁFA-val
506,73 Ft ÁFA-val
MOSFET, 30V 5.6A 1.6W Rdson=0.032Ohm SMD SO8
MPN:
SI4431CDY-T1-GE3
Termék gyártója:
Adatlap:
Cikkcsoport:
MOSFET
Alkatrész család:
Tokozás típus:
NYÁK-ra ültethető (SMD)
Tokozás:
Kivitel:
Felületszerelt (SMD)
Kivezetések száma:
8
Tokozás (JEDEC):
MS-012
Maximális disszipáció Ptot [W]:
1.6 W
Gyártói jelölés:
SI4431CDY-T1-GE3
Drain áram Id [A] @ 25°C:
-5.6 A
Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :
0.032 Ohm @ -7 A
Gate törésponti feszültség Ugs [V]:
-2.5 V
Bekapcsolási idő ton [nsec.]:
10 ns
Kikapcsolási idő toff [nsec.]:
23 ns
Gate kapacitás Ciss [pF]:
1006 pF
Drain-Source feszültség Uds [V]:
-30 V
Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:
-55 °C
Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Igen
db
Mennyiségi kedvezmény:
Mennyiség [db]
Nettó [HUF]
Bruttó [HUF]
10
275,00 Ft
349,25 Ft
100
180,00 Ft
228,60 Ft
Központi raktár
2171 db
Azonnal szállítható
Szegedi üzlet
0 db
A helyszínen azonnal átvehető, csomagban 1-2 nap a szállítási határidő
Csomagajánlatok
Mások ezt is megvásárolták
Adatok
További adatlap:
Tömeg:
0,187 g/db
