SI2309CDS-T1-GE3 - 60V 1.2A 1.0W Rds=0.34Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY
188,03 Ft+ÁFA
238,8 Ft ÁFA-val
238,8 Ft ÁFA-val
SI2309CDS-T1-GE3 - 60V 1.2A 1.0W Rds=0.34Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY
A feltüntetett kép csak illusztráció. Kérjük tekintse meg a termékleírást!
Raktáron 5995 db
188,03 Ft+ÁFA
238,8 Ft ÁFA-val
238,8 Ft ÁFA-val
MOSFET, 60V 1.2A 1.0W Rds=0.34Ohm SMD SOT-23
MPN:
SI2309CDS-T1-GE3
Termék gyártója:
Adatlap:
Cikkcsoport:
MOSFET
Alkatrész család:
Tokozás típus:
NYÁK-ra ültethető (SMD)
Tokozás:
Kivitel:
Felületszerelt (SMD)
Kivezetések száma:
3
Tokozás (JEDEC):
MS-012
Maximális disszipáció Ptot [W]:
1.7 W
Gyártói jelölés:
N9
Drain áram Id [A] @ 25°C:
-1.2 A
Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :
0.34 Ohm @ -1.25 A
Gate törésponti feszültség Ugs [V]:
-3 V
Bekapcsolási idő ton [nsec.]:
60 ns
Kikapcsolási idő toff [nsec.]:
25 ns
Gate kapacitás Ciss [pF]:
210 pF
Drain-Source feszültség Uds [V]:
-60 V
Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:
-55 °C
Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Igen
db
Mennyiségi kedvezmény:
Mennyiség [db]
Nettó [HUF]
Bruttó [HUF]
100
117,32 Ft
149,00 Ft
Központi raktár
5995 db
Azonnal szállítható
Szegedi üzlet
0 db
A helyszínen azonnal átvehető, csomagban 1-2 nap a szállítási határidő
Csomagajánlatok
Adatok
További adatlap:
Tömeg:
0,008 g/db
