SI2309CDS-T1-GE3 - 60V 1.2A 1.0W Rds=0.34Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY

188,03 Ft+ÁFA
238,8 Ft ÁFA-val

SI2309CDS-T1-GE3 - 60V 1.2A 1.0W Rds=0.34Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY

Name: SI2309CDS-T1-GE3 - 60V 1.2A 1.0W Rds=0.34Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY
Brand: VISHAY (SILICONIX)
SKU: 63-01-02
Price: 238.8 HUF
Availability: InStock

A feltüntetett kép csak illusztráció. Kérjük tekintse meg a termékleírást!

Raktáron 6013 db

188,03 Ft+ÁFA
238,8 Ft ÁFA-val

MOSFET, 60V 1.2A 1.0W Rds=0.34Ohm SMD SOT-23

MPN:

SI2309CDS-T1-GE3

Termék gyártója:

VISHAY (SILICONIX)

Adatlap:

si2309cd.pdf

Cikkcsoport:

MOSFET

Alkatrész család:

MOSFET, P-MOS

Tokozás típus:

NYÁK-ra ültethető (SMD)

Tokozás:

SOT-23

Kivitel:

Felületszerelt (SMD)

Kivezetések száma:

Tokozás (JEDEC):

MS-012

Maximális disszipáció Ptot [W]:

1.7 W

Gyártói jelölés:

Drain áram Id [A] @ 25°C:

-1.2 A

Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :

0.34 Ohm @ -1.25 A

Gate törésponti feszültség Ugs [V]:

-3 V

Bekapcsolási idő ton [nsec.]:

60 ns

Kikapcsolási idő toff [nsec.]:

25 ns

Gate kapacitás Ciss [pF]:

210 pF

Drain-Source feszültség Uds [V]:

-60 V

Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:

-55 °C

Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

Igen

Mennyiségi kedvezmény:

Mennyiség [db]

Nettó [HUF]

Bruttó [HUF]

100

117,32 Ft

149,00 Ft

Központi raktár

6013 db

Azonnal szállítható

Szegedi üzlet

0 db

A helyszínen azonnal átvehető, csomagban 1-2 nap a szállítási határidő

Adatok

További adatlap:

RETKAT2012_F_009.pdf Siliconix_ROHS_marking.pdf

Tömeg:

0,008 g/db