SI4532ADY-T1-E3 - 30V 3.7/3.0A 2.3W Rds=53/80mOhm SMD SO8 dupla N-MOSFET/P-MOSFET - VISHAY

227,72 Ft+ÁFA
289,2 Ft ÁFA-val

SI4532ADY-T1-E3 - 30V 3.7/3.0A 2.3W Rds=53/80mOhm SMD SO8 dupla N-MOSFET/P-MOSFET - VISHAY

Name: SI4532ADY-T1-E3 - 30V 3.7/3.0A 2.3W Rds=53/80mOhm SMD SO8 dupla N-MOSFET/P-MOSFET - VISHAY
Brand: VISHAY (SILICONIX)
SKU: 63-00-88
Price: 289.2 HUF
Availability: InStock

A feltüntetett kép csak illusztráció. Kérjük tekintse meg a termékleírást!

Raktáron 1788 db

Kifutó típus

227,72 Ft+ÁFA
289,2 Ft ÁFA-val

MOSFET, 30V Dual 3.7/3.0A 2.3W Rds=53/80mOhm SMD SO8

MPN:

SI4532ADY-T1-E3

Termék gyártója:

VISHAY (SILICONIX)

Adatlap:

si4532ady.pdf

Cikkcsoport:

MOSFET

Alkatrész család:

MOSFET, N-MOS, P-MOS

Tokozás típus:

NYÁK-ra ültethető (SMD)

Tokozás:

SO8

Kivitel:

Felületszerelt (SMD)

Kivezetések száma:

Tokozás (JEDEC):

MS-012

Maximális disszipáció Ptot [W]:

1.13 W

Gyártói jelölés:

SI4532ADY-T1-E3

Drain áram Id [A] @ 25°C:

3.7 A/-3 A

Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :

0.053 Ohm/0.08 Ohm @ 4.9/-3.9 A

Gate törésponti feszültség Ugs [V]:

4.5 V/-4.5 V

Bekapcsolási idő ton [nsec.]:

12 ns/8 ns

Kikapcsolási idő toff [nsec.]:

23/21 ns

Gate kapacitás Ciss [pF]:

500 pF

Drain-Source feszültség Uds [V]:

30 V/-30 V

Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:

-55 °C

Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

Igen

Mennyiségi kedvezmény:

Mennyiség [db]

Nettó [HUF]

Bruttó [HUF]

188,98 Ft

240,00 Ft

Központi raktár

1788 db

Azonnal szállítható

Szegedi üzlet

0 db

A helyszínen azonnal átvehető, csomagban 1-2 nap a szállítási határidő

Adatok

További adatlap:

RETKAT2012_F_016.pdf Siliconix_ROHS_marking.pdf

Tömeg:

0,187 g/db