SI4532ADY-T1-E3 - 30V 3.7/3.0A 2.3W Rds=53/80mOhm SMD SO8 dupla N-MOSFET/P-MOSFET - VISHAY
227,72 Ft+ÁFA
289,2 Ft ÁFA-val
289,2 Ft ÁFA-val
SI4532ADY-T1-E3 - 30V 3.7/3.0A 2.3W Rds=53/80mOhm SMD SO8 dupla N-MOSFET/P-MOSFET - VISHAY
A feltüntetett kép csak illusztráció. Kérjük tekintse meg a termékleírást!
Raktáron 1785 db
227,72 Ft+ÁFA
289,2 Ft ÁFA-val
289,2 Ft ÁFA-val
MOSFET, 30V Dual 3.7/3.0A 2.3W Rds=53/80mOhm SMD SO8
MPN:
SI4532ADY-T1-E3
Termék gyártója:
Adatlap:
Cikkcsoport:
MOSFET
Alkatrész család:
Tokozás típus:
NYÁK-ra ültethető (SMD)
Tokozás:
Kivitel:
Felületszerelt (SMD)
Kivezetések száma:
8
Tokozás (JEDEC):
MS-012
Maximális disszipáció Ptot [W]:
1.13 W
Gyártói jelölés:
SI4532ADY-T1-E3
Drain áram Id [A] @ 25°C:
3.7 A/-3 A
Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :
0.053 Ohm/0.08 Ohm @ 4.9/-3.9 A
Gate törésponti feszültség Ugs [V]:
4.5 V/-4.5 V
Bekapcsolási idő ton [nsec.]:
12 ns/8 ns
Kikapcsolási idő toff [nsec.]:
23/21 ns
Gate kapacitás Ciss [pF]:
500 pF
Drain-Source feszültség Uds [V]:
30 V/-30 V
Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:
-55 °C
Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Igen
db
Központi raktár
1785 db
Azonnal szállítható
Szegedi üzlet
0 db
A helyszínen azonnal átvehető, csomagban 1-2 nap a szállítási határidő
Csomagajánlatok
Adatok
További adatlap:
Tömeg:
0,187 g/db
Hasonló termékek
