SI4946CDY-T1-GE3 - MOSFET, 60V Dual 5.2A 2.8W Rdson=0.051Ohm SMD SO8 - VISHAY
A feltüntetett kép csak illusztráció. Kérjük tekintse meg a termékleírást!
Nincs raktáron
MOSFET, 60V Dual 5.2A 2.8W Rdson=0.051Ohm SMD SO8
MPN:
SI4946CDY-T1-GE3
Termék gyártója:
Adatlap:
Cikkcsoport:
MOSFET
Alkatrész család:
Tokozás típus:
NYÁK-ra ültethető (SMD)
Tokozás:
Kivitel:
Felületszerelt (SMD)
Kivezetések száma:
8
Tokozás (JEDEC):
MS-012
Maximális disszipáció Ptot [W]:
2.8 W
Gyártói jelölés:
SI4946CDY-T1-GE3
Drain áram Id [A] @ 25°C:
5.2 A
Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :
0.051 Ohm @ 4.6 A
Gate törésponti feszültség Ugs [V]:
3 V
Bekapcsolási idő ton [nsec.]:
16 ns
Kikapcsolási idő toff [nsec.]:
30 ns
Gate kapacitás Ciss [pF]:
350 pF
Drain-Source feszültség Uds [V]:
60 V
Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:
-55 °C
Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Igen
Központi raktár
0 db
Azonnal szállítható
Szegedi üzlet
0 db
A helyszínen azonnal átvehető, csomagban 1-2 nap a szállítási határidő
Csomagajánlatok
Adatok
Tömeg:
0,187 g/db
