TSM048NB06LCR RLG - 60V 107A 136W SMD 4.8 mOhm PDFN56 N-MOSFET - TAIWAN SEMICONDUCTOR

1 132,91 Ft+ÁFA
1 438,8 Ft ÁFA-val

TSM048NB06LCR RLG - 60V 107A 136W SMD 4.8 mOhm PDFN56 N-MOSFET - TAIWAN SEMICONDUCTOR

Name: TSM048NB06LCR RLG - 60V 107A 136W SMD 4.8 mOhm PDFN56 N-MOSFET - TAIWAN SEMICONDUCTOR
Brand: TAIWAN SEMICONDUCTOR
SKU: 25-07-53
Price: 1438.8 HUF
Availability: InStock

A feltüntetett kép csak illusztráció. Kérjük tekintse meg a termékleírást!

Raktáron 40 db

1 132,91 Ft+ÁFA
1 438,8 Ft ÁFA-val

MOSFET, 60 V 107 A 136 W SMD 4.8 mOhm PDFN56

MPN:

TSM048NB06LCR RLG

Termék gyártója:

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Adatlap:

TSM048NB06LCR_B1804.pdf

Cikkcsoport:

MOSFET

Alkatrész család:

MOSFET, N-MOS

Tokozás típus:

NYÁK-ra ültethető (SMD)

Tokozás:

PDFN56

Kivitel:

Felületszerelt (SMD)

Kivezetések száma:

Maximális disszipáció Ptot [W]:

136 W

Drain áram Id [A] @ 25°C:

107 A

Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :

0.0048 Ohm @ 16 A

Gate törésponti feszültség Ugs [V]:

2.5 V

Bekapcsolási idő ton [nsec.]:

4 ns

Kikapcsolási idő toff [nsec.]:

78 ns

Gate kapacitás Ciss [pF]:

6253 pF

Drain-Source feszültség Uds [V]:

60 V

Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:

-55 °C

Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:

+175 °C

ROHS:

Igen

Központi raktár

40 db

Azonnal szállítható

Adatok

Tömeg:

0,0969 g/db