SI4946BEY-T1-E3 - 60V 5.5A 2.6W Rdson=0.052Ohm SMD SO8 dupla N-MOSFET - VISHAY

499 Ft+ÁFA
633,73 Ft ÁFA-val

SI4946BEY-T1-E3 - 60V 5.5A 2.6W Rdson=0.052Ohm SMD SO8 dupla N-MOSFET - VISHAY

Name: SI4946BEY-T1-E3 - 60V 5.5A 2.6W Rdson=0.052Ohm SMD SO8 dupla N-MOSFET - VISHAY
Brand: VISHAY (SILICONIX)
SKU: 25-04-57
Price: 633.73 HUF
Availability: InStock

A feltüntetett kép csak illusztráció. Kérjük tekintse meg a termékleírást!

Raktáron 7498 db

Kifutó típus

499 Ft+ÁFA
633,73 Ft ÁFA-val

MOSFET, 60V Dual 5.5A 2.6W Rdson=0.052Ohm SMD SO8

MPN:

SI4946BEY-T1-E3

Termék gyártója:

VISHAY (SILICONIX)

Adatlap:

si4946be.pdf

Cikkcsoport:

MOSFET

Alkatrész család:

MOSFET, N-MOS

Tokozás típus:

NYÁK-ra ültethető (SMD)

Tokozás:

SO8

Kivitel:

Felületszerelt (SMD)

Kivezetések száma:

Tokozás (JEDEC):

MS-012

Maximális disszipáció Ptot [W]:

2.6 W

Gyártói jelölés:

SI4946BEY-T1-E3

Drain áram Id [A] @ 25°C:

5.5 A

Drain-Source átmenő ellenállás Rds [Ohm] @ Ids [A] :

0.052 Ohm @ 4.7 A

Gate törésponti feszültség Ugs [V]:

3 V

Bekapcsolási idő ton [nsec.]:

30 ns

Kikapcsolási idő toff [nsec.]:

30 ns

Gate kapacitás Ciss [pF]:

840 pF

Drain-Source feszültség Uds [V]:

60 V

Működési hőmérséklettartomány min. [°C]:

-55 °C

Működési hőmérséklettartomány max. [°C]:

+175 °C

ROHS:

Igen

Központi raktár

7498 db

Azonnal szállítható

Szegedi üzlet

0 db

A helyszínen azonnal átvehető, csomagban 1-2 nap a szállítási határidő

Adatok

További adatlap:

RETKAT2012_F_016.pdf Siliconix_ROHS_marking.pdf

Tömeg:

0,187 g/db