SQ2337ES-T1_GE3 -80V -.2.2A 3W Rds=0.29Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY

0,6535 €+ MwSt.
0,8299 € inkl. MwSt.

SQ2337ES-T1_GE3 -80V -.2.2A 3W Rds=0.29Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY

Name: SQ2337ES-T1_GE3 -80V -.2.2A 3W Rds=0.29Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY
Brand: VISHAY (SILICONIX)
SKU: 63-01-85
Price: 0.8299 EUR
Availability: InStock

Das Bild dient nur zur Illustration. Bitte lesen Sie die Produktbeschreibung!

Auf Lager 5990 St.

Auslaufprodukt

0,6535 €+ MwSt.
0,8299 € inkl. MwSt.

MOSFET, -80 V -.2.2 A 3 W Rds=0.29Ohm SMD SOT-23

Hersteller Code:

SQ2337ES-T1_GE3

Hersteller:

VISHAY (SILICONIX)

Datenblatt:

sq2337es.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, P-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

SOT-23

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Bauform (JEDEC):

MS-012

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

3 W

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

-2.2 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.29 Ohm @ 1.2 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

-2.5 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

8 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

27 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

620 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

-80 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+175 °C

ROHS:

St.

Unser Lager

5990 St.

Sofort lieferbar

Daten

Zusätzliches Datenblatt:

Siliconix_ROHS_marking.pdf

Gewicht:

0,008 g/St.