HGTG 20N60A4D *N-IGBT+Diode - ONSEMI - HGTG20N60A4D
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HGTG 20N60A4D *N-IGBT+Diode - ONSEMI - HGTG20N60A4D
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IGBT, 600V 70A Ip= 280A 290W TO-247
Hersteller Code:
HGTG20N60A4D
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
IGBT Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplatte-montierbar
Bauform:
Ausfuhr:
Durchgangsloch
Anzahl der Leitungen:
3
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
290 W
Hersteller Kode:
20N60A4D
Schwellenspannung Ugs[V]:
7 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
15 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
73 ns
Kollektor-Emitter Spannung Uce [V]:
600 V
Kollektorstrom Ic [A]:
70 A
Kollektorstrom Impuls Ip [A]:
280 A
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
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Daten
Zusätzliches Datenblatt:
Gewicht:
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