FGA40N65SMD *N-IGBT-Diode - ONSEMI - FGA40N65SMD
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IGBT, 650V 40A Ip= 120A 174W TO-3PN
Hersteller Code:
FGA40N65SMD
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
IGBT Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplatte-montierbar
Bauform:
Ausfuhr:
Durchgangsloch
Anzahl der Leitungen:
3
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
174 W
Hersteller Kode:
FGA40N65SMD
Schwellenspannung Ugs[V]:
6 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
16 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
120 ns
Kollektor-Emitter Spannung Uce [V]:
650 V
Kollektorstrom Ic [A]:
40 A
Kollektorstrom Impuls Ip [A]:
120 A
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+175 °C
ROHS:
Ja
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Daten
Zusätzliches Datenblatt:
Gewicht:
5,2 g/St.
