APT50GP60B2DQ2G *N-IGBT+Diode - MICROSEMI - APT50GP60B2DQ2G
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IGBT, 600V 150A Ip= 190A 625W Vce(on)=2.1V TO-247
Hersteller Code:
APT50GP60B2DQ2G
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
IGBT Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplatte-montierbar
Bauform:
Ausfuhr:
Durchgangsloch
Anzahl der Leitungen:
3
Bauform (JEDEC):
TO-247AC
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
625 W
Schwellenspannung Ugs[V]:
4.5 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
19 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
115 ns
Kollektor-Emitter Spannung Uce [V]:
600 V
Kollektorstrom Ic [A]:
150 A
Kollektorstrom Impuls Ip [A]:
190 A
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
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