IXSH 24N60AU1 *N-IGBT+Diode - IXYS - IXSH24N60AU1

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IGBT, 600 V 48 A Ip= 96 A 150 W Vce(on)=2.7V TO-247AD

Hersteller Code:

IXSH24N60AU1

Hersteller:

IXYS

Datenblatt:

24n60.pdf

Gruppe:

IGBT Transistoren

Bauteile Familie:

IGBT mit inverse leistungsdiode

Bauform Style:

Leiterplatte-montierbar

Bauform:

TO-247AD

Ausfuhr:

Durchgangsloch

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

150 W

Hersteller Kode:

IXSH24N60A

Schwellenspannung Ugs[V]:

6.5 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

100 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

450 ns

Kollektor-Emitter Spannung Uce [V]:

600 V

Kollektorstrom Ic [A]:

48 A

Kollektorstrom Impuls Ip [A]:

96 A

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

RETKAT2012_F_017.pdf ROHS_IXYS.pdf

Gewicht:

6 g/St.