SGH80N60UFDTU - 600V 40A Ip= 222A 195W inverz diódával TO-3PN IGBT - ONSEMI
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SGH80N60UFDTU - 600V 40A Ip= 222A 195W inverz diódával TO-3PN IGBT - ONSEMI
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IGBT, 600V 40A Ip= 222A 195W mit inv. Diode TO-3PN
Hersteller Code:
SGH80N60UFDTU
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
IGBT Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplatte-montierbar
Bauform:
Ausfuhr:
Durchgangsloch
Anzahl der Leitungen:
3
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
195 W
Hersteller Kode:
SGH80N60UF
Schwellenspannung Ugs[V]:
6.5 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
23 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
130 ns
Kollektor-Emitter Spannung Uce [V]:
600 V
Kollektorstrom Ic [A]:
80 A
Kollektorstrom Impuls Ip [A]:
220 A
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
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Daten
Zusätzliches Datenblatt:
Gewicht:
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