SGH80N60UFDTU - 600V 40A Ip= 222A 195W inverz diódával TO-3PN IGBT - ONSEMI

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SGH80N60UFDTU - 600V 40A Ip= 222A 195W inverz diódával TO-3PN IGBT - ONSEMI

Name: SGH80N60UFDTU - 600V 40A Ip= 222A 195W inverz diódával TO-3PN IGBT - ONSEMI
Brand: ONSEMI (FAIRCHILD)
SKU: 81-00-94
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IGBT, 600V 40A Ip= 222A 195W mit inv. Diode TO-3PN

Hersteller Code:

SGH80N60UFDTU

Hersteller:

ONSEMI (FAIRCHILD)

Datenblatt:

SGH80N60UFDTU.pdf

Gruppe:

IGBT Transistoren

Bauteile Familie:

IGBT mit inverse diode

Bauform Style:

Leiterplatte-montierbar

Bauform:

TO-3PN

Ausfuhr:

Durchgangsloch

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

195 W

Hersteller Kode:

SGH80N60UF

Schwellenspannung Ugs[V]:

6.5 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

23 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

130 ns

Kollektor-Emitter Spannung Uce [V]:

600 V

Kollektorstrom Ic [A]:

80 A

Kollektorstrom Impuls Ip [A]:

220 A

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

RETKAT2012_F_017.pdf ROHS_Fairchild.pdf

Gewicht:

5,37 g/St.