IXGH 39N60BD1 *N-IGBT+Diode - IXYS - IXGH39N60BD1
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IXGH 39N60BD1 *N-IGBT+Diode - IXYS - IXGH39N60BD1
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IGBT, 600V 76A Ip= 152A 200W Vce(on)=1.7V TO-247AD
Hersteller Code:
IXGH39N60BD1
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
IGBT Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplatte-montierbar
Bauform:
Ausfuhr:
Durchgangsloch
Anzahl der Leitungen:
3
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
200 W
Hersteller Kode:
39N60BD1
Schwellenspannung Ugs[V]:
5 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
25 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
500 ns
Kollektor-Emitter Spannung Uce [V]:
600 V
Kollektorstrom Ic [A]:
76 A
Kollektorstrom Impuls Ip [A]:
152 A
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
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Daten
Zusätzliches Datenblatt:
Gewicht:
6 g/St.
