MGY 25N120D *N-IGBT+Diode - ONSEMI - MGY25N120D
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IGBT, 1200V 25A 212W TO-264
Hersteller Code:
MGY25N120D
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
IGBT Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplatte-montierbar
Bauform:
Ausfuhr:
Durchgangsloch
Anzahl der Leitungen:
3
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
212 W
Hersteller Kode:
MGY25N120D
Schwellenspannung Ugs[V]:
8 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
91 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
196 ns
Kollektor-Emitter Spannung Uce [V]:
1.2 kV
Kollektorstrom Ic [A]:
38 A
Kollektorstrom Impuls Ip [A]:
76 A
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Nicht
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Daten
Gewicht:
10,7372 g/St.
