VBQF1306 *NMOS - VBSEMI - VBQF1306
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MOSFET, 30V 33A 6W Rds=0.006Ohm SMD DFN8(3x3)EP
Hersteller Code:
VBQF1306
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplattenmontage (SMD)
Bauform:
Ausfuhr:
Oberflächenmontage (SMD)
Anzahl der Leitungen:
8
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
6 W
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
33 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
0.006 Ohm @ 10 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
3 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
60 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
85 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
2545 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
30 V
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-50 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
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