SQ2337ES-T1_GE3 -80V -.2.2A 3W Rds=0.29Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY
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MOSFET, -80V -.2.2A 3W Rds=0.29Ohm SMD SOT-23
Hersteller Code:
SQ2337ES-T1_GE3
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplattenmontage (SMD)
Bauform:
Ausfuhr:
Oberflächenmontage (SMD)
Anzahl der Leitungen:
3
Bauform (JEDEC):
MS-012
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
3 W
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
-2.2 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
0.29 Ohm @ 1.2 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
-2.5 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
8 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
27 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
620 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
-80 V
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+175 °C
ROHS:
Ja
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Gewicht:
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