FDS6675BZ - 30V 11A Logic-level 1.2W Rds=0.013 Ohm SMD SO8 P-MOSFET - ONSEMI

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FDS6675BZ - 30V 11A Logic-level 1.2W Rds=0.013 Ohm SMD SO8 P-MOSFET - ONSEMI

Name: FDS6675BZ - 30V 11A Logic-level 1.2W Rds=0.013 Ohm SMD SO8 P-MOSFET - ONSEMI
Brand: ONSEMI
SKU: 63-01-72
Price: 0.8901 EUR
Availability: InStock

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MOSFET, 30 V 11 A Logic-level 1.2 W Rds=0.013 Ohm SMD SO8

Hersteller Code:

FDS6675BZ

Hersteller:

ONSEMI

Datenblatt:

FDS6675BZ-D.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, P-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

SO8

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

2.5 W

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

-11 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.013 Ohm @ -11 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

-3 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

10 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

200 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

2470 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

-30 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

St.

Mengenrabatt:

Menge [St.]

Netto [EUR]

Brutto [EUR]

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0,74 €

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