SI2319CDS-T1-GE3 - 40V 3.1A 0.8W Rds=0.077Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY

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SI2319CDS-T1-GE3 - 40V 3.1A 0.8W Rds=0.077Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY

Name: SI2319CDS-T1-GE3 - 40V 3.1A 0.8W Rds=0.077Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY
Brand: VISHAY
SKU: 63-01-52
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Availability: InStock

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MOSFET, 40 V 3.1 A 0.8 W Rds=0.077Ohm SMD SOT-23

Hersteller Code:

SI2319CDS-T1-GE3

Hersteller:

VISHAY

Datenblatt:

si2319cd.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, P-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

SOT-23

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

0.8 W

Hersteller Kode:

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

-3.1 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.077 Ohm @ -4.4 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

-2.5 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

60 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

27 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

595 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

-40 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

St.

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