SI7489DP-T1-GE3 - 100V 28A 3.3W Rdson=0.041Ohm SMD PowerPAD SO8 P-MOSFET - VISHAY
Das Bild dient nur zur Illustration. Bitte lesen Sie die Produktbeschreibung!
Nicht auf Lager
MOSFET, 100V 28A 3.3W Rdson=0.041Ohm SMD PowerPAD SO8
Hersteller Code:
SI7489DP-T1-GE3
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplattenmontage (SMD)
Bauform:
Ausfuhr:
Oberflächenmontage (SMD)
Anzahl der Leitungen:
8
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
3.3 W
Hersteller Kode:
7489D
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
-28 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
0.041 Ohm @ 28 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
-3 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
25 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
165 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
4600 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
-100 V
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
Unser Lager
0 St.
Sofort lieferbar
Unser Laden in Szeged
0 St.
Auf Lager (oder innerhalb von 2 Tagen in der angegebenen Menge aus unserem Lager verfügbar)
Paketangebote
Daten
Gewicht:
0,187 g/St.
