SI2333DDS-T1-GE3 - 12V 6A 1.7W Rds=0.023Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY

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SI2333DDS-T1-GE3 - 12V 6A 1.7W Rds=0.023Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY

Name: SI2333DDS-T1-GE3 - 12V 6A 1.7W Rds=0.023Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY
Brand: VISHAY
SKU: 63-01-30
Price: 0.7538 EUR
Availability: InStock

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MOSFET, 12 V 6 A 1.75 W Rds=0.023Ohm SMD SOT-23

Hersteller Code:

SI2333DDS-T1-GE3

Hersteller:

VISHAY

Datenblatt:

si2333dds.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, P-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

SOT-23

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

2.5 W

Hersteller Kode:

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

-6 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.023 Ohm @ -5 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

-1 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

26 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

45 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

1275 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

-12 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

St.

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Menge [St.]

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Brutto [EUR]

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