SI4532CDY-T1-GE3 - 30V 5.2/3.4A 2.7W Rds=65/140mOhm SMD SO8 dupla N-MOSFET/P-MOSFET - VISHAY

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SI4532CDY-T1-GE3 - 30V 5.2/3.4A 2.7W Rds=65/140mOhm SMD SO8 dupla N-MOSFET/P-MOSFET - VISHAY

Name: SI4532CDY-T1-GE3 - 30V 5.2/3.4A 2.7W Rds=65/140mOhm SMD SO8 dupla N-MOSFET/P-MOSFET - VISHAY
Brand: VISHAY
SKU: 63-01-25
Price: 0.666 EUR
Availability: InStock

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MOSFET, 30 V Dual 5.2/3.4 A 2.7W Rds=65/140mOhm SMD SO8

Hersteller Code:

SI4532CDY-T1-GE3

Hersteller:

VISHAY

Datenblatt:

si4532cd.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS, P-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

SO8

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

1.14 W

Hersteller Kode:

SI4532CDY-T1-E3

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

5.2 A/-3.4 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.065 Ohm/0.14 Ohm @ 5.2/-3.4 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

4.5 V/-4.5 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

11 ns/10 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

25/30 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

305/340 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

30 V/-30 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

St.

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