SI 2304DDS-T1-GE3 *NMOS - VISHAY (SILICONIX) - SI2304DDS-T1-GE3

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SI 2304DDS-T1-GE3 *NMOS - VISHAY (SILICONIX) - SI2304DDS-T1-GE3

Name: SI 2304DDS-T1-GE3 *NMOS - VISHAY (SILICONIX) - SI2304DDS-T1-GE3
Brand: VISHAY (SILICONIX)
SKU: 63-01-09
Price: 238.8 HUF
Availability: InStock

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MOSFET, 30 V 3.6 A 1.7 W Rds=0.06Ohm SMD SOT-23

Hersteller Code:

SI2304DDS-T1-GE3

Hersteller:

VISHAY (SILICONIX)

Datenblatt:

si2304dd.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

SOT-23

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

1.7 W

Hersteller Kode:

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

3.6 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.06 Ohm @ 3.2 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

2.2 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

20 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

75 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

235 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

30 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

St.

Mengenrabatt:

Menge [St.]

Netto [HUF]

Brutto [HUF]

100

117,32 Ft

149,00 Ft

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

Siliconix_ROHS_marking.pdf

Gewicht:

0,008 g/St.