SI2308BDS-T1-GE3 - 60V 2.3A 1.66W Rds=0.16Ohm SMD SOT-23 N-MOSFET - VISHAY

0,713 €+ MwSt.
0,9055 € inkl. MwSt.

SI2308BDS-T1-GE3 - 60V 2.3A 1.66W Rds=0.16Ohm SMD SOT-23 N-MOSFET - VISHAY

Name: SI2308BDS-T1-GE3 - 60V 2.3A 1.66W Rds=0.16Ohm SMD SOT-23 N-MOSFET - VISHAY
Brand: VISHAY (SILICONIX)
SKU: 63-01-08
Price: 0.9055 EUR
Availability: InStock

Das Bild dient nur zur Illustration. Bitte lesen Sie die Produktbeschreibung!

Auf Lager 7632 St.

0,713 €+ MwSt.
0,9055 € inkl. MwSt.

MOSFET, 60 V 2.3 A 1.66 W Rds=0.16Ohm SMD SOT-23

Hersteller Code:

SI2308BDS-T1-GE3

Hersteller:

VISHAY (SILICONIX)

Datenblatt:

si2308bd.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

SOT-23

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Bauform (JEDEC):

MS-012

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

1.66 W

Hersteller Kode:

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

2.3 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.192 Ohm @ 1.7 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

3 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

6 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

15 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

190 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

60 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

St.

Unser Lager

7632 St.

Sofort lieferbar

Daten

Zusätzliches Datenblatt:

Siliconix_ROHS_marking.pdf

Gewicht:

0,008 g/St.