SI2308BDS-T1-GE3 - 60V 2.3A 1.66W Rds=0.16Ohm SMD SOT-23 N-MOSFET - VISHAY
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SI2308BDS-T1-GE3 - 60V 2.3A 1.66W Rds=0.16Ohm SMD SOT-23 N-MOSFET - VISHAY
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MOSFET, 60V 2.3A 1.66W Rds=0.16Ohm SMD SOT-23
Hersteller Code:
SI2308BDS-T1-GE3
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplattenmontage (SMD)
Bauform:
Ausfuhr:
Oberflächenmontage (SMD)
Anzahl der Leitungen:
3
Bauform (JEDEC):
MS-012
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
1.66 W
Hersteller Kode:
L8
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
2.3 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
0.192 Ohm @ 1.7 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
3 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
6 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
15 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
190 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
60 V
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
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