SI2333CDS-T1-GE3 - 12V 5.1A 1.25W Rds=0.035Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY
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SI2333CDS-T1-GE3 - 12V 5.1A 1.25W Rds=0.035Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY
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MOSFET, 12V 5.1A 1.25W Rds=0.035Ohm SMD SOT-23
Hersteller Code:
SI2333CDS-T1-GE3
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplattenmontage (SMD)
Bauform:
Ausfuhr:
Oberflächenmontage (SMD)
Anzahl der Leitungen:
3
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
2.5 W
Hersteller Kode:
3
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
-7.1 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
0.035 Ohm @ -5.1 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
-1 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
20 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
70 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
1225 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
-12 V
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
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Daten
Gewicht:
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