SI4431CDY-T1-GE3 - 30V 5.6A 1.6W Rdson=0.032Ohm SMD SO8 P-MOSFET - VISHAY
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SI4431CDY-T1-GE3 - 30V 5.6A 1.6W Rdson=0.032Ohm SMD SO8 P-MOSFET - VISHAY
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MOSFET, 30V 5.6A 1.6W Rdson=0.032Ohm SMD SO8
Hersteller Code:
SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplattenmontage (SMD)
Bauform:
Ausfuhr:
Oberflächenmontage (SMD)
Anzahl der Leitungen:
8
Bauform (JEDEC):
MS-012
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
1.6 W
Hersteller Kode:
SI4431CDY-T1-GE3
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
-5.6 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
0.032 Ohm @ -7 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
-2.5 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
10 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
23 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
1006 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
-30 V
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
St.
Mengenrabatt:
Menge [St.]
Nettopreis [EUR]
Brutto [EUR]
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Gewicht:
0,187 g/St.
