SI4431CDY-T1-GE3 - 30V 5.6A 1.6W Rdson=0.032Ohm SMD SO8 P-MOSFET - VISHAY

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SI4431CDY-T1-GE3 - 30V 5.6A 1.6W Rdson=0.032Ohm SMD SO8 P-MOSFET - VISHAY

Name: SI4431CDY-T1-GE3 - 30V 5.6A 1.6W Rdson=0.032Ohm SMD SO8 P-MOSFET - VISHAY
Brand: VISHAY (SILICONIX)
SKU: 63-01-03
Price: 0.5268 EUR
Availability: InStock

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MOSFET, 30 V 5.6 A 1.6 W Rdson=0.032Ohm SMD SO8

Hersteller Code:

SI4431CDY-T1-GE3

Hersteller:

VISHAY (SILICONIX)

Datenblatt:

si4431cd.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, P-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

SO8

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Bauform (JEDEC):

MS-012

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

1.6 W

Hersteller Kode:

SI4431CDY-T1-GE3

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

-5.6 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.032 Ohm @ -7 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

-2.5 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

10 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

23 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

1006 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

-30 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

St.

Mengenrabatt:

Menge [St.]

Netto [EUR]

Brutto [EUR]

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

RETKAT2012_F_014.pdf Siliconix_ROHS_marking.pdf

Gewicht:

0,187 g/St.