SI2309CDS-T1-GE3 - 60V 1.2A 1.0W Rds=0.34Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY

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SI2309CDS-T1-GE3 - 60V 1.2A 1.0W Rds=0.34Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY

Name: SI2309CDS-T1-GE3 - 60V 1.2A 1.0W Rds=0.34Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY
Brand: VISHAY (SILICONIX)
SKU: 63-01-02
Price: 0.6025 EUR
Availability: InStock

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MOSFET, 60 V 1.2 A 1.0 W Rds=0.34Ohm SMD SOT-23

Hersteller Code:

SI2309CDS-T1-GE3

Hersteller:

VISHAY (SILICONIX)

Datenblatt:

si2309cd.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, P-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

SOT-23

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Bauform (JEDEC):

MS-012

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

1.7 W

Hersteller Kode:

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

-1.2 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.34 Ohm @ -1.25 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

-3 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

60 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

25 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

210 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

-60 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

St.

Mengenrabatt:

Menge [St.]

Netto [EUR]

Brutto [EUR]

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

RETKAT2012_F_009.pdf Siliconix_ROHS_marking.pdf

Gewicht:

0,008 g/St.