SI2306BDS-T1-E3 - 30V 3.5A 0.8W Rds=0.057Ohm SMD SOT-23 N-MOSFET - VISHAY

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SI2306BDS-T1-E3 - 30V 3.5A 0.8W Rds=0.057Ohm SMD SOT-23 N-MOSFET - VISHAY

Name: SI2306BDS-T1-E3 - 30V 3.5A 0.8W Rds=0.057Ohm SMD SOT-23 N-MOSFET - VISHAY
Brand: VISHAY (SILICONIX)
SKU: 63-00-97
Price: 0.6025 EUR
Availability: InStock

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MOSFET, 30 V 3.5 A 0.8 W Rds=0.057Ohm SMD SOT-23

Hersteller Code:

SI2306BDS-T1-E3

Hersteller:

VISHAY (SILICONIX)

Datenblatt:

si2306bd.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

SOT-23

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

0.8 W

Hersteller Kode:

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

3.5 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.057 Ohm @ 2.8 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

3 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

11 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

25 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

305 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

30 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

St.

Mengenrabatt:

Menge [St.]

Netto [EUR]

Brutto [EUR]

100

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

RETKAT2012_F_010.pdf Siliconix_ROHS_marking.pdf

Gewicht:

0,008 g/St.