FDS6673BZ - 30V 14.5A 1.2W Rds=0.0078Ohm SMD SO8 P-MOSFET - ONSEMI
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MOSFET, 30V 14.5A 1.2W Rds=0.0078Ohm SMD SO8
Hersteller Code:
FDS6673BZ
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplattenmontage (SMD)
Bauform:
Ausfuhr:
Oberflächenmontage (SMD)
Anzahl der Leitungen:
8
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
1.2 W
Hersteller Kode:
FDS6673BZ
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
-14.5 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
0.0078 Ohm @ -14.5 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
-3 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
26 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
36 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
4700 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
-30 V
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
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Daten
Zusätzliches Datenblatt:
Gewicht:
0,0907 g/St.
