FDS6900AS - 30V 8.2+6.9A, 2W Rds=0.036+0.038 Ohm SMD SO8 N-MOSFET - ONSEMI

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FDS6900AS - 30V 8.2+6.9A, 2W Rds=0.036+0.038 Ohm SMD SO8 N-MOSFET - ONSEMI

Name: FDS6900AS - 30V 8.2+6.9A, 2W Rds=0.036+0.038 Ohm SMD SO8 N-MOSFET - ONSEMI
Brand: ONSEMI (FAIRCHILD)
SKU: 63-00-91
Price: 2.419 EUR
Availability: InStock

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MOSFET, 30 V 8.2+6.9A, 2W Rds=0.036+0.038 Ohm SMD SO8

Hersteller Code:

FDS6900AS

Hersteller:

ONSEMI (FAIRCHILD)

Datenblatt:

FDS6900AS.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

SO8

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

2 W

Hersteller Kode:

FDS6900AS

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

8.2 A/6.9A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.036 Ohm / 0.038 Ohm @ 8.2/6.9 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

3 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

20 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

29 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

570 pF/600 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

30 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

ROHS_Fairchild.pdf

Gewicht:

0,0907 g/St.