Si 4532ADY-T1-E3 *NMOS+PMOS - VISHAY (SILICONIX) - SI4532ADY-T1-E3

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Si 4532ADY-T1-E3 *NMOS+PMOS - VISHAY (SILICONIX) - SI4532ADY-T1-E3

Name: Si 4532ADY-T1-E3 *NMOS+PMOS - VISHAY (SILICONIX) - SI4532ADY-T1-E3
Brand: VISHAY (SILICONIX)
SKU: 63-00-88
Price: 289.2 HUF
Availability: InStock

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MOSFET, 30 V Dual 3.7/3.0 A 2.3W Rds=53/80mOhm SMD SO8

Hersteller Code:

SI4532ADY-T1-E3

Hersteller:

VISHAY (SILICONIX)

Datenblatt:

si4532ady.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS, P-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

SO8

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Bauform (JEDEC):

MS-012

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

1.13 W

Hersteller Kode:

SI4532ADY-T1-E3

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

3.7 A/-3 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.053 Ohm/0.08 Ohm @ 4.9/-3.9 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

4.5 V/-4.5 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

12 ns/8 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

23/21 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

500 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

30 V/-30 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

St.

Mengenrabatt:

Menge [St.]

Netto [HUF]

Brutto [HUF]

188,98 Ft

240,00 Ft

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

RETKAT2012_F_016.pdf Siliconix_ROHS_marking.pdf

Gewicht:

0,187 g/St.