BS107ARL1G - 200V 200mA 350mW Rdson=6.4Ohm TO-92 N-MOSFET - ONSEMI

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BS107ARL1G - 200V 200mA 350mW Rdson=6.4Ohm TO-92 N-MOSFET - ONSEMI

Name: BS107ARL1G - 200V 200mA 350mW Rdson=6.4Ohm TO-92 N-MOSFET - ONSEMI
Brand: ONSEMI
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MOSFET, 200 V 200 mA 350 mW Rdson=6.4Ohm TO-92

Hersteller Code:

BS107ARL1G

Hersteller:

ONSEMI

Datenblatt:

BS107-D.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS

Bauform Style:

Leiterplatte-montierbar

Bauform:

TO-92

Ausfuhr:

Durchgangsloch

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

0.35 W

Hersteller Kode:

BS107A

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

250 mA

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

14 Ohm @ 0.2 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

3 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

15 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

15 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

60 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

200 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

ROHS_ONSEMI.pdf

Gewicht:

0,198 g/St.