SI4559EY-E3 - 60V 3.9/2.8A 2.4W Rds=55/120mOhm SMD SO8 N-MOSFET - VISHAY

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SI4559EY-E3 - 60V 3.9/2.8A 2.4W Rds=55/120mOhm SMD SO8 N-MOSFET - VISHAY

Name: SI4559EY-E3 - 60V 3.9/2.8A 2.4W Rds=55/120mOhm SMD SO8 N-MOSFET - VISHAY
Brand: VISHAY (SILICONIX)
SKU: 63-00-77
Price: 0.6814 EUR
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MOSFET, 60 V Dual 3.9/2.8 A 2.4W Rds=55/120mOhm SMD SO8

Hersteller Code:

SI4559EY-E3

Hersteller:

VISHAY (SILICONIX)

Datenblatt:

si4559ey.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS, P-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

SO8

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Bauform (JEDEC):

MS-012

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

2.4 W

Hersteller Kode:

SI4559EY

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

4.5 A/-3.1 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.055 Ohm/0.075 Ohm @ 4.5/-3.9 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

4.5 V/-4.5 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

13 ns/8 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

36/12 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

1000 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

60 V/-60 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+175 °C

ROHS:

St.

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Brutto [EUR]

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

RETKAT2012_F_016.pdf Siliconix_ROHS_marking.pdf

Gewicht:

0,187 g/St.