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FDV 303N *NMOS - ONSEMI (FAIRCHILD) - FDV303N
FDV 303N *NMOS - ONSEMI (FAIRCHILD) - FDV303N
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  1. Aktive komponente, Diskret Halbleiter
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FDV 303N *NMOS - ONSEMI (FAIRCHILD) - FDV303N

Artikel-Nr.: 
63-00-33
FDV 303N *NMOS - ONSEMI (FAIRCHILD) - FDV303N

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MOSFET, 25 V 680 mA 350 mW Rds=0.45Ohm SMD SOT-23
Hersteller Code:
FDV303N
Hersteller:
ONSEMI (FAIRCHILD)
Datenblatt:
FDV303N.pdf
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
MOSFET, N-MOS
Bauform Style:
Leiterplattenmontage (SMD)
Bauform:
SOT-23
Ausfuhr:
Oberflächenmontage (SMD)
Anzahl der Leitungen:
3
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
0.35 W
Hersteller Kode:
303
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
0.68 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
0.44 Ohm @ 0.2 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
1 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
6 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
30 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
50 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
25 V
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
St.
Mengenrabatt:
Menge [St.]
Netto [HUF]
Brutto [HUF]
100  
33,07 Ft
42,00 Ft
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Daten
Zusätzliches Datenblatt:
RETKAT2012_F_010.pdf ROHS_Fairchild.pdf
Gewicht:
0,0081 g/St.
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