SI2307BDS-T1-E3 - 30V 2.5A 0.75W Rds=0.078Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY

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SI2307BDS-T1-E3 - 30V 2.5A 0.75W Rds=0.078Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY

Name: SI2307BDS-T1-E3 - 30V 2.5A 0.75W Rds=0.078Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY
Brand: VISHAY
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MOSFET, 30V 2.5A 0.75W Rds=0.078Ohm SMD SOT-23

Hersteller Code:

SI2307BDS-T1-E3

Hersteller:

VISHAY

Datenblatt:

si2307bd.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, P-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

SOT-23

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

0.75 W

Hersteller Kode:

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

-2.5 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.13 Ohm @ -2.5 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

-3 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

20 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

40 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

380 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

-30 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

St.

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

RETKAT2012_F_009.pdf

Gewicht:

0,008 g/St.