J119 - 160V 8A 70/160NS 100W TO-3P P-MOSFET - HITACHI
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J119 - 160V 8A 70/160NS 100W TO-3P P-MOSFET - HITACHI
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MOSFET, 160V 8A 70/160NS 100W TO-3P
Hersteller Code:
J119
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplatte-montierbar
Bauform:
Ausfuhr:
Durchgangsloch
Anzahl der Leitungen:
3
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
100 W
Hersteller Kode:
J119
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
-8 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
0.5 Ohm @ -4 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
-5 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
20 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
90 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
1050 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
-160 V
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Nicht
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