IXTT02N450HV - 4500V 200mA 113W Rdson=625Ohm TO-268HV N-MOSFET - IXYS
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MOSFET, 4500V 200mA 113W Rdson=625Ohm TO-268HV
Hersteller Code:
IXTT02N450HV
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplattenmontage (SMD)
Bauform:
Ausfuhr:
Oberflächenmontage (SMD)
Anzahl der Leitungen:
3
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
113 W
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
0.2 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
625 Ohm @ 0.01 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
6.5 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
17 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
28 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
246 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
4.5 kV
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
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Daten
Gewicht:
4 g/St.
