TSM110NB04CR RLG - 40V 54A 68W SMD 11mOhm PDFN56 N-MOSFET - TAIWAN SEMICONDUCTOR
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MOSFET, 40V 54A 68W SMD 11mOhm PDFN56
Hersteller Code:
TSM110NB04CR RLG
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplattenmontage (SMD)
Bauform:
Ausfuhr:
Oberflächenmontage (SMD)
Anzahl der Leitungen:
8
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
68 W
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
54 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
0.011 Ohm @ 12 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
4 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
3.2 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
10 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
1443 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
40 V
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+175 °C
ROHS:
Ja
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