TSM 048NB06LCR RLG *NMOS - TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM048NB06LCR RLG

1 132,91 Ft+ MwSt.
1 438,8 Ft inkl. MwSt.

TSM 048NB06LCR RLG *NMOS - TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM048NB06LCR RLG

Name: TSM 048NB06LCR RLG *NMOS - TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM048NB06LCR RLG
Brand: TAIWAN SEMICONDUCTOR
SKU: 25-07-53
Price: 1438.8 HUF
Availability: InStock

Das Bild dient nur zur Illustration. Bitte lesen Sie die Produktbeschreibung!

Auf Lager 40 St.

1 132,91 Ft+ MwSt.
1 438,8 Ft inkl. MwSt.

MOSFET, 60 V 107 A 136 W SMD 4.8 mOhm PDFN56

Hersteller Code:

TSM048NB06LCR RLG

Hersteller:

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Datenblatt:

TSM048NB06LCR_B1804.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

PDFN56

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

136 W

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

107 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.0048 Ohm @ 16 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

2.5 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

4 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

78 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

6253 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

60 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+175 °C

ROHS:

St.

Unser Lager

40 St.

Sofort lieferbar

Daten

Gewicht:

0,0969 g/St.