TSM048NB06LCR RLG - 60V 107A 136W SMD 4.8 mOhm PDFN56 N-MOSFET - TAIWAN SEMICONDUCTOR

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TSM048NB06LCR RLG - 60V 107A 136W SMD 4.8 mOhm PDFN56 N-MOSFET - TAIWAN SEMICONDUCTOR

Name: TSM048NB06LCR RLG - 60V 107A 136W SMD 4.8 mOhm PDFN56 N-MOSFET - TAIWAN SEMICONDUCTOR
Brand: TAIWAN SEMICONDUCTOR
SKU: 25-07-53
Price: 3.6289 EUR
Availability: InStock

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MOSFET, 60 V 107 A 136 W SMD 4.8 mOhm PDFN56

Hersteller Code:

TSM048NB06LCR RLG

Hersteller:

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Datenblatt:

TSM048NB06LCR_B1804.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

PDFN56

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

136 W

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

107 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.0048 Ohm @ 16 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

2.5 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

4 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

78 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

6253 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

60 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+175 °C

ROHS:

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Daten

Gewicht:

0,0969 g/St.