TSM033NB04CR RLG - 40V 121A 107W SMD 3.3 mOhm PDFN56 N-MOSFET - TAIWAN SEMICONDUCTOR

2,5023 €+ MwSt.
3,178 € inkl. MwSt.

TSM033NB04CR RLG - 40V 121A 107W SMD 3.3 mOhm PDFN56 N-MOSFET - TAIWAN SEMICONDUCTOR

Name: TSM033NB04CR RLG - 40V 121A 107W SMD 3.3 mOhm PDFN56 N-MOSFET - TAIWAN SEMICONDUCTOR
Brand: TAIWAN SEMICONDUCTOR
SKU: 25-07-50
Price: 3.178 EUR
Availability: InStock

Das Bild dient nur zur Illustration. Bitte lesen Sie die Produktbeschreibung!

Auf Lager 100 St.

2,5023 €+ MwSt.
3,178 € inkl. MwSt.

MOSFET, 40 V 121 A 107 W SMD 3.3 mOhm PDFN56

Hersteller Code:

TSM033NB04CR RLG

Hersteller:

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Datenblatt:

TSM033NB04CR_B1804.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

PDFN56

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

107 W

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

121 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.0033 Ohm @ 21 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

4 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

7 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

35 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

5022 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

40 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+175 °C

ROHS:

St.

Unser Lager

100 St.

Sofort lieferbar

Daten

Gewicht:

0,0969 g/St.