TPC8407,LQ(S - 30V 9A + 7.4A 1.1W Rds=0.021/0.029Ohm SMD SO8 N-MOSFET - TOSHIBA
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MOSFET, 30V 9A + 7.4A 1.1W Rds=0.021/0.029Ohm SMD SO8
Hersteller Code:
TPC8407,LQ(S
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplattenmontage (SMD)
Bauform:
Ausfuhr:
Oberflächenmontage (SMD)
Anzahl der Leitungen:
8
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
1.1 W
Hersteller Kode:
TPC8407
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
9 A/-7.4 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
0.021 Ohm/0.029 Ohm @ 3.7/-3.7 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
2.3 V/-2.3 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
7.9 ns/16 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
20/140 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
1190/1650 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
30 V/-30 V
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
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