IPB020N10N5LFATMA1 - 100V 120A 313W Rdson=0.0017Ohm SMD D2PAK/Reel N-MOSFET - INFINEON

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IPB020N10N5LFATMA1 - 100V 120A 313W Rdson=0.0017Ohm SMD D2PAK/Reel N-MOSFET - INFINEON

Name: IPB020N10N5LFATMA1 - 100V 120A 313W Rdson=0.0017Ohm SMD D2PAK/Reel N-MOSFET - INFINEON
Brand: INFINEON
SKU: 25-07-00
Price: 28.3652 EUR
Availability: InStock

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MOSFET, 100V 120A 313W Rdson=0.0017Ohm SMD D2PAK/Reel

Hersteller Code:

IPB020N10N5LFATMA1

Hersteller:

INFINEON

Datenblatt:

Infineon-IPB020N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

D²-PAK

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

313 W

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

120 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.002 Ohm @ 100 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

3.3 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

7 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

128 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

840 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

100 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

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Daten

Gewicht:

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