BTS500101TAEATMA1 - 18V 40A 200W PROFET Rds=0.002Ohm SMD D2PAK/7 N-MOSFET - INFINEON

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BTS500101TAEATMA1 - 18V 40A 200W PROFET Rds=0.002Ohm SMD D2PAK/7 N-MOSFET - INFINEON

Name: BTS500101TAEATMA1 - 18V 40A 200W PROFET Rds=0.002Ohm SMD D2PAK/7 N-MOSFET - INFINEON
Brand: INFINEON
SKU: 25-06-79
Price: 15.1174 EUR
Availability: InStock

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MOSFET, 18 V 40 A 200 W PROFET Rds=0.002Ohm SMD D2PAK/7

Hersteller Code:

BTS500101TAEATMA1

Hersteller:

INFINEON

Datenblatt:

Infineon-BTS50010-1TAE-DS-v01_00-EN.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

D²-PAK/7

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Bauform (JEDEC):

TO-263

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

200 W

Hersteller Kode:

S50010E

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

40 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.002 Ohm @ 40 A

Drain-Source Spannung Uds [V]:

18 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-40 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

St.

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Daten

Gewicht:

1,507 g/St.