Si4056DY-T1-GE3 - 100V 8.8A 3.6W Rdson=0.031Ohm SMD SO8 N-MOSFET - VISHAY
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MOSFET, 100V 8.8A 3.6W Rdson=0.031Ohm SMD SO8
Hersteller Code:
Si4056DY-T1-GE3
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplattenmontage (SMD)
Bauform:
Ausfuhr:
Oberflächenmontage (SMD)
Anzahl der Leitungen:
8
Bauform (JEDEC):
MS-012
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
3.6 W
Hersteller Kode:
SI4056DY
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
8.8 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
0.031 Ohm @ 10 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
2.8 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
26 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
38 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
900 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
100 V
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
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Gewicht:
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