SI4948BEY-T1-GE3 - 60V 3.1A 2.4W SMD SO8 dupla P-MOSFET - VISHAY

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SI4948BEY-T1-GE3 - 60V 3.1A 2.4W SMD SO8 dupla P-MOSFET - VISHAY

Name: SI4948BEY-T1-GE3 - 60V 3.1A 2.4W SMD SO8 dupla P-MOSFET - VISHAY
Brand: VISHAY (SILICONIX)
SKU: 25-06-21
Price: 1.3161 EUR
Availability: InStock

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MOSFET, 60V Dual 3.1A 2.4W SMD SO8

Hersteller Code:

SI4948BEY-T1-GE3

Hersteller:

VISHAY (SILICONIX)

Datenblatt:

si4948be.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, P-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

SO8

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Bauform (JEDEC):

MS-012

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

2.4 W

Hersteller Kode:

SI4948BEY-T1-GE3

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

3.1 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.12 Ohm @ -3.1 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

-3 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

15 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

75 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

800 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

60 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+175 °C

ROHS:

St.

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

Siliconix_ROHS_marking.pdf

Gewicht:

0,187 g/St.