FQA13N80-F109 - 800V 12.6A 300W Rdson=0.75Ohm TO-3PN N-MOSFET - ONSEMI
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MOSFET, 800V 12.6A 300W Rdson=0.75Ohm TO-3PN
Hersteller Code:
FQA13N80-F109
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplatte-montierbar
Bauform:
Ausfuhr:
Durchgangsloch
Anzahl der Leitungen:
3
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
300 W
Hersteller Kode:
FQA13N80
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
12.6 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
0.75 Ohm @ 6.3 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
5 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
130 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
320 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
3500 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
800 V
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
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Zusätzliches Datenblatt:
Gewicht:
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