FQA13N80-F109 - 800V 12.6A 300W Rdson=0.75Ohm TO-3PN N-MOSFET - ONSEMI

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FQA13N80-F109 - 800V 12.6A 300W Rdson=0.75Ohm TO-3PN N-MOSFET - ONSEMI

Name: FQA13N80-F109 - 800V 12.6A 300W Rdson=0.75Ohm TO-3PN N-MOSFET - ONSEMI
Brand: ONSEMI (FAIRCHILD)
SKU: 25-06-19
Price: 5.4486 EUR
Availability: InStock

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MOSFET, 800 V 12.6 A 300 W Rdson=0.75Ohm TO-3PN

Hersteller Code:

FQA13N80-F109

Hersteller:

ONSEMI (FAIRCHILD)

Datenblatt:

FQA13N80_F109.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS

Bauform Style:

Leiterplatte-montierbar

Bauform:

TO-3PN

Ausfuhr:

Durchgangsloch

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

300 W

Hersteller Kode:

FQA13N80

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

12.6 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.75 Ohm @ 6.3 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

5 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

130 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

320 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

3500 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

800 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

ROHS_Fairchild.pdf

Gewicht:

5,4346 g/St.