FQPF8N60C - 600V 7.6A 48W Rdson=1.2Ohm ITO-220 N-MOSFET - ONSEMI

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FQPF8N60C - 600V 7.6A 48W Rdson=1.2Ohm ITO-220 N-MOSFET - ONSEMI

Name: FQPF8N60C - 600V 7.6A 48W Rdson=1.2Ohm ITO-220 N-MOSFET - ONSEMI
Brand: ONSEMI (FAIRCHILD)
SKU: 25-06-05
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MOSFET, 600V 7.6A 48W Rdson=1.2Ohm ITO-220

Hersteller Code:

FQPF8N60C

Hersteller:

ONSEMI (FAIRCHILD)

Datenblatt:

FQPF8N60C.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS

Bauform Style:

Leiterplatte-montierbar

Bauform:

ITO-220

Ausfuhr:

Durchgangsloch

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

48 W

Hersteller Kode:

FQPF8N60C

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

7.6 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

1.2 Ohm @ 3.75 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

4 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

45 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

170 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

1255 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

600 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

ROHS_Fairchild.pdf

Gewicht:

2,1123 g/St.